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第54章 近轴照明模式（第1页）

对于苏晨的话，其他工程师不敢公开质疑，但华光总工程师仍忍不住反驳：

“苏院士，据我所知，1纳米工艺，哪怕在理论上也是很难实现的。要知道从光刻技术的发展来看，提高光刻分辨力的主要路径是增大投影物镜的数值孔径、缩短曝光波长和降低工艺因子。但无论是增大物镜还是缩短曝光波长均极大的缩短了光刻的有效焦深，所以就算把所有条件做到极致，也几乎实现不了1纳米工艺！”

听他这样说，苏晨淡然答道：

“总工，我们可以用近轴照明模式解决这个问题！！”

“什么——近轴照明模式？！”

此概念一出，全场为之一震。

苏晨：“不错！在传统照明模式下，参与干涉成像的是±1级衍射光，并形成了整体背景光，影响了传统照明模式下的成像对比度。而在近轴照明模式下，由于采用的倾斜入射，衍射光不再能够全部通过具有一定孔径的成像系统，不参与成像的衍射光无法进入成像系统，避免了背景光对成像对比度的影响，进而提高了成像分辨力。”

！！！

苏晨直指问题本质！

现场所有工程师都心呼叫：卧槽——

这帅比好像不止是学术神棍……

竟能准确地说出近轴照明模式优势，这可不是一般人能做到的！

哪怕是普通的芯片工程师也没办法理解到这一步！

如此一来，华光工程师们看向苏晨的目光又变了……

由惊异变为惊奇。

就连任维中听了，都开始对苏晨刮目相看。

看来，三号首席带来的这位，果然有点东西的。

华光总工听了苏晨的见解，也是一惊：

他竟然能想到了近轴照明模式！

关于近轴照明模式，华光总工带领团队也尝试过，但是失败了。

于是，他实事求是地说：

“苏总工，实不相瞒，您的这个思路我们已经尝试过，但是最终还是失败了，因为我们无法找到在近轴照明模式下，部分相干光源照射到掩模后发生衍射的规律，也就是说无法找到表达衍射规律的衍射方程！”

苏晨听了，没有说话，直接掏出手机，开始编辑。

编辑完成后，展示给华光总工：

“总工，近轴光源照射到掩模后发生衍射的规律，可以用这个方程表达！”

asθ2=2na（1+σ）2na（+1）na

！！！

华光总工看到了这个表达方程！

这么快——

他竟然这么快就编辑出了衍射表达方程？！

华光总工又仔细看了一遍方程，却发现自己也无法全然理解。

不可能——这肯定是他信手乱写的！

华光总工投来怀疑的目光：“苏总工，这个方程看起来很奇怪，而且，没有经过光刻机对焦系统程序验证，恐怕暂时无法采用。”

苏晨：“我们现在就可以将方程输入光刻机对焦系统程序进行验证！”

！！！

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